Dünnschichtabscheidung

Im Dünnschichtlabor des OUT e.V. können mittels Vakuumbeschichtung Kontakt- und Isolatorschichten für Anwendungen der Mikroelektronik und Optik abgeschieden werden. Unsere technische Ausstattung ermöglicht:

Magnetronsputtern PRISM

o Anlage Prevac PRISM
o DC-, 13,56 und 27,12 MHz-Anregung
o Reaktives Abscheiden mit Sauerstoff und Stickstoff
o co-sputtern mit 3 x 2-Zoll Quellen möglich
o Durchmesser Prozesskammer 355 mm

Magnetronsputtern Z400

o Anlage Leybold Z400
o DC- und 13,56 MHz-Anregung
o Reaktives Abscheiden mit Sauerstoff und Stickstoff
o 3 x 75 mm-Targets über Probe schwenkbar
o In situ-Reinigung der Probe mittels Diodenplasma
o Maximale Substratgröße 3″ Durchmesser
o Max. schleusbare Substratdicke ca. 8 mm

Verfügbare Targetmaterialien

o Metalle:
Ag, Al, Au, Au:Be, Au:Ge, Bi, C, Co, Cr, Cr:Ni (50 wt%), Cu, Fe, Ge, In, In:Sn (10 wt%), Mn, Mg, Mo, MoSi2, Nb, Ni, Ni:Cr (20 at%), Ni:V, Pb, Pd, Pt, Ru, Si, Sn, Sn:Sb (6 wt%), Sn:Sb (12 wt%), Ti, Ti:Nb (2 und 6 wt%), Ti:Ta (10 wt%), Ti:V (3 wt%), Ti:Zr (6 wt%), TiSi2, V, W, W:Ti, Zn, Zn:Al (2 wt%), Zr:Y
o Oxide:
Al₂O₃, In₂O₃, In₂O₃:Cer (3 wt%), In₂O₃:Cu (5 wt%), In₂O₃:Mo (3 wt%), In₂O₃:Pd (3 wt%), In₂O₃:ZrO₂, ITO (90/10 at%), SiO₂, SnO₂, SnO_x:Ta, TiO₂, TiO₂:Nb (2 und 6 at%), VO_x, ZnO, ZrO₂
o Nitride:
AlN, BN, Si₃N₄