Abgeschlossene FuE Förderprojekte:
- Entwicklung ohmscher Kontakte für p-InGaAs
01.05.2009 – 31.05.2011
(Download Kurzbeschreibung)
- Entwicklung spezifischer Dünnschichttransistoren
01.09.2007 – 31.08.2009
(Download Kurzbeschreibung) - Entwicklung einer Technologie zur Herstellung hochsensitiver Schichten
01.10.2006 – 30.09.2008
(Download Kurzbeschreibung) - Plasmaprozessparameter und Schichteigenschaften
12/2005 – 09/2007
(Download Kurzbeschreibung)

